Estudio de la movilidad de electrones en grafeno intrínseco y en la interfase grafeno-CU2O usando el método Monte Carlo

dc.contributor.advisorAlcazar Rojas, Leopoldo Oswaldoes_ES
dc.contributor.authorQuispe Abarca, Hilda Maricelaes_ES
dc.date.accessioned2021-09-23T22:12:07Z
dc.date.available2021-09-23T22:12:07Z
dc.date.issued2021-09-14
dc.description.abstractEl estudio de la movilidad de los electrones sometidos a campos eléctricos moderados aplicados sobre grafeno intrínseco y en grafeno sobre el sustrato de Cu2O, manteniendo la temperatura constante, se realizó con la implementación de un programa en Matlab. En la simulación se utiliza el método numérico de Monte Carlo, para resolver la ecuación de transporte de Boltzmann semiclásica. Para una mayor aproximación con el fenómeno del transporte de electrones en el grafeno, se incluye diferentes mecanismos de dispersión tales como la dispersión con: fonones acústicos, fonones ópticos, fonones ópticos superficiales, impurezas remotas y la presencia de la rugosidad de la interfase. Además de considerar el principio de exclusión de Pauli mediante la discretización del espacio recíproco, siguiendo una simetría polar. Los resultados obtenidos para la movilidad del grafeno intrínseco muestran valores, en el rango de 8x1010 cm-2 a 1012 cm-2, cercanos a resultados bibliográficos dados por Shishir y Ferry (2009) y resultan ser entre 3 y 10 veces mayor que la movilidad en el grafeno sobre sustrato de Cu2O, mostrando la gran influencia del sustrato, cuando se deposita grafeno sobre cobre. La movilidad de los electrones en el grafeno sobre sustrato de Cu2O muestra un máximo alrededor de una densidad electrónica de 1.2x1012 cm-2, prediciendo que hay valores óptimos de esta variable para la utilización de grafeno sobre este sustrato. Por otra parte, la energía media de electrones se mantiene casi constante con campos eléctricos hasta 1.5 kVcm-1 para grafeno sobre sustrato mientras que para el grafeno intrínseco es ligeramente proporcional al campo eléctrico. Al comparar los valores de la energía media de electrones, esta es mayor cuando el sustrato está presente debido mayormente a que los electrones ganan gran energía por absorción de fonones óptico superficiales, dentro del rango de energía estudiado. Esto refuerza la importancia del sustrato como fuente de degradación de las propiedades eléctricas del grafeno.es_ES
dc.formatapplication/pdfes_ES
dc.identifier.urihttps://repositorio.ucsm.edu.pe/handle/20.500.12920/11097
dc.language.isospaes_ES
dc.publisherUniversidad Católica de Santa Maríaes_ES
dc.publisher.countryPEes_ES
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_ES
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/es_ES
dc.sourceUniversidad Católica de Santa Maríaes_ES
dc.sourceRepositorio de la Universidad Católica de Santa María - UCSMes_ES
dc.subjectGrafenoes_ES
dc.subjectSustrato de Cu2Oes_ES
dc.subjectDispersión electrón-fonónes_ES
dc.subject.ocdehttps://purl.org/pe-repo/ocde/ford#1.01.00es_ES
dc.titleEstudio de la movilidad de electrones en grafeno intrínseco y en la interfase grafeno-CU2O usando el método Monte Carloes_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesises_ES
dc.type.versioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersiones_ES
renati.advisor.dni08548715
renati.advisor.orcid0000-0003-0621-8281es_ES
renati.author.dni29690815
renati.discipline541028es_ES
renati.jurorAlcazar Rojas, Herman Enriquees_ES
renati.jurorCarrasco Bocangel, Julio Cesares_ES
renati.jurorCalderón Ruiz, Guillermo Enriquees_ES
renati.jurorCaceres Huambo, Albertoes_ES
renati.jurorGomez Valdez, Badhines_ES
renati.levelhttps://purl.org/pe-repo/renati/nivel#doctores_ES
renati.typehttps://purl.org/pe-repo/renati/type#tesises_ES
thesis.degree.disciplineDoctorado en Matematica Aplicadaes_ES
thesis.degree.grantorUniversidad Católica de Santa María.Escuela de Postgradoes_ES
thesis.degree.levelDoctoradoes_ES
thesis.degree.nameDoctor en Matemática Aplicadaes_ES

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